Analysis and development of I-V characteristics models for nanometer size MESFETs considering fabrication parameters
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2012.
| Hlavní autoři: | Mostofa, Jobia, Ahmed, Wasi Uddin, Pia, Ummay Farha, Meghna, Tanzina Haque |
|---|---|
| Další autoři: | Islam, Dr. Md.Shafiqul |
| Médium: | Diplomová práce |
| Jazyk: | English |
| Vydáno: |
BRAC University
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://hdl.handle.net/10361/1455 |
Podobné jednotky
-
Nanometer CMOS /
Autor: Schwierz, Frank
Vydáno: (2010) -
Comparative data analysis of a PV module system considering weather parameters
Autor: Ahmed, Nafiz, a další
Vydáno: (2021) -
Nanometer Variation-Tolerant SRAM
Autor: Abu-Rahma
Vydáno: (2013) -
Consider Leviathan
Autor: Doak -
Analog IC Reliability in Nanometer CMOS
Autor: Maricau
Vydáno: (2013)