Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs /

Những quyển sách tương tự

• Field effect devices /
  Bằng: Pierret, Robert F.
  Được phát hành: (1990)
• Nanometer CMOS /
  Bằng: Schwierz, Frank
  Được phát hành: (2010)
• Simulation based electrostatic study of different multigate quantumwell field effect transistors by changing the gate oxide thickness and metal work function
  Bằng: Afsin, Muntasirul Haque, et al.
  Được phát hành: (2017)
• Computational study of electronic transport property of a quantum dot in a single electron transistor
  Bằng: Noor, Lamisha
  Được phát hành: (2018)
• An extended model for a punch through (PT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics
  Bằng: Saif, Omar, et al.
  Được phát hành: (2017)