Study of Ballistic Graphene Nanoribbon FET and Carbon Nanotube FET for device applications
This thesis report is submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Bachelor of Science in Electrical and Electronic Engineering, 2015.
| Tác giả chính: | Pavel, Md. Reaz Haider |
|---|---|
| Tác giả khác: | Mominuzzaman, Dr. Sharif Mohammad |
| Định dạng: | Luận văn |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
BRAC University
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://hdl.handle.net/10361/4958 |
Những quyển sách tương tự
-
Comparison of the performance of ballistic schottky barrier graphene nanoribbon FET
Bằng: Ahmed, Sheikh Ziauddin, et al.
Được phát hành: (2014) -
Current-Voltage characteristics of carbon Nanotube field effect transistor considering Non-Ballistic conduction
Bằng: Rouf, Nirjhor Tahmidur, et al.
Được phát hành: (2014) -
Toward Quantum FinFET
Được phát hành: (2013) -
Characterization of Carbon Nanotube field effect transistor
Bằng: Khan, Sabbir Ahmed, et al.
Được phát hành: (2013) - Carbon Nanotubes, Graphene, and Associated Devices VII